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技术交流

Technology Exchange
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信号线上串个小电阻干啥用的?
  • 更新日期: 2022-05-04
  • 浏览次数: 3895
问题: 查看有些原理图的设计时,经常看到串一些小电阻,如0Ω,22Ω,33Ω等等,但是也不是一定串。同样场合有的串,有的不串。这是为什么呢?这里电阻串联的意义是什么呢?什么时候需要串电阻呢,阻值取多大呢? 关于这个问题,我们先看下网上的一些答案: 有人说:参考设计上推荐……
内阻很小的MOS管为什么会发热?
  • 更新日期: 2022-05-04
  • 浏览次数: 2974
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极:源极S、漏极D、栅极G(这里不讲栅极GOX击穿,只针对漏极电压击穿)。 EDA365电子论坛
电路中7个常用接口类型
  • 更新日期: 2022-04-20
  • 浏览次数: 2565
我们知道,在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”,例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差(如CPU与外设)或者各自的信号类型不一致(如传感器检测光信号)等,这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。 下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点……
电压型PWM控制器之LM5025芯片知识
  • 更新日期: 2022-04-20
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今天说一款电压型PWM控制器,那就是LM5025芯片,下面咱们看一下它的基本参数。 基本特性: 芯片内置启动偏置调节器,具有可编程的低压锁定输出功能(UVLO),电压型驱动器,5V参考电压,具有可编程软启动功能,具有热……
瞬态抑制二极管-TVS管怎么选型
  • 更新日期: 2022-04-20
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TVS全称是transient voltage suppressor,瞬态电压抑制器,它是一种保护器件。TVS管也属于二极管,只不过特性与二极管的有区别,它的工作原理与稳压二极管类似,也是利用反向击穿稳定电压,但TVS管的响应速度要快于稳压管。 当电路中的TVS管受到反向瞬态高能量冲击时,它能以极高的速度(几百皮秒)将两级间的阻抗变为低阻抗,起到很好的浪涌功率吸收作用,同时也能使两级之间的电压保持在一个范围内,达到有效保护电路中其他元器件的免受浪涌脉冲的损坏。 TVS管和ZenerDiode两
走进晶圆厂,深入了解芯片制造流程
  • 更新日期: 2022-04-14
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有些晶体管的尺寸超过500亿个,这些晶体管比人类头发丝的宽度还小1万倍。它们是在巨大的超洁净厂房地板上制作的,可达七层楼高,长度相当于四个足球场。 微芯片在许多方面都是现代经济的命脉。它们为电脑、智能手机、汽车、电器和其他许多电子产品提供动力。但自疫情以来,世界对它们的需求激增,这也导致供应链中断,导致全……
FinFET晶体管设计工艺
  • 更新日期: 2022-04-13
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FinFET试图克服晶体管遇到的最糟糕类型的短沟道效应,同时使芯片能够以更低的成本实现更高的性能指标。自从半导体取得突破以来,纵观集成电路设计的历史,摩尔定律——即一块硅上的晶体管数量每两年翻一番,而且将一直保持不变。随着代工厂开发越来越先进的工艺节点以满足消费者的需求,当今先进处理器上的晶体管数量达到数百亿。这与1970年代中期只有几千个晶体管的处理器相去甚远,这在当时是最先进的。 推动半导体行业发展并使今天的芯片成为可能的关键技术趋势之一是采用FinFET工艺。另一种有前途的技术是环栅(GAA)
ZVS零电压开关反激
  • 更新日期: 2022-04-11
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在传统以及准谐振反激形式应用中,由于MOS导通时的电压较高(基本都在150V以上),特别是高压的输入条件下,会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI干扰,影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式电路的出现,很好的解决了这些痛点。 先从反激应用电路开始分析,再转到ZVS零电压开关电路应用一. 反激应用中MOSF……
关于WLCSP晶圆级芯片封装技术介绍
  • 更新日期: 2022-04-02
  • 浏览次数: 21555
WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)是一种晶圆级芯片封装方式,有别于传统的芯片封装方式(切割、封装、测试,封装后原始芯片数量会增加至少20%)。 整个晶圆封装测试后,切割成单个IC颗粒,因此封装体积与IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封装方式不仅显着减小了内存模块的尺寸,还满足了移动设备对体空间的高密度要求。 另一方面,在性能方面,也提升了数据传输的速度和稳定性。
集成的尺度和维度
  • 更新日期: 2022-04-01
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集成(integration),是指将不同的单元汇聚到一起,并能实现其特定功能的过程,集成多指人类的活动,而非自然的过程。而集成电路、系统集成是比较常见的名词。 本文围绕集成的尺度(Scale)和维度(Dimension)两方面来剖析现代电子集成技术。推荐给大家。
解析 | 浅析大陆电驱动系统EMR4
  • 更新日期: 2022-04-01
  • 浏览次数: 3339
1. 前言 随着电动汽车在市场上的显著加速,品牌、细分市场和车型的差异也在不断增加,最大限度地扩大电驱动系统适用性就显得及其重要。电驱动系统,如大批量生产的EMR3(第三代电驱动系统)和目前正在开发的EMR4,在系统级采用了多标准优化方法进行设计。与上一代相比,EMR4提高了高达5%的效率……
开关电源内部的各种损耗
  • 更新日期: 2022-04-01
  • 浏览次数: 3027
开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现,下面将分别讨论。 与功率开关有关的损耗 ……

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