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车系统级芯片SoC:汽车系统级芯片概览及AEC-Q100车规
  • 更新日期: 2023-02-27
  • 浏览次数: 3157
SoC,系统级芯片,汽车系统级SoC主要面向两个领域,一是驾驶舱,二是智能驾驶,两者的界限现在越来越模糊。随着汽车电子架构的演进,新出现了网关SoC,典型的代表是NXP的S32G274A。通常网关SoC不需要太强算力,不过S32G274A有4个Cortex-A53内核,达到低端座舱的水准。 英伟达Orin的内部框架图 Orin是一个典型的智能驾驶SoC
AI BMS管理方案,能否解决电池安全焦虑?
  • 更新日期: 2023-02-27
  • 浏览次数: 2790
近两年,随着新能源汽车保有量的增加,新能源汽车自燃的案例也逐渐频繁。而新能源汽车由于是这两年备受关注的焦点,发生自燃也是“自带光环”。 据国家应急管理部消防救援局的数据显示,2022年第一季度,国内接报的新能源汽车火灾共计有640起,同比上升32%,平均算下来,国内每天就发生超过7起新能源汽车起火事件。 ……
划片工艺流程
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 浏览次数: 2341
晶圆经过前道工序后芯片制备完成,还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来,最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同: 厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割; 厚度不到100um的晶圆一般使用激光……
简述晶圆减薄的几种方法
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 浏览次数: 2910
减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻和(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。 打磨 机械研磨 机械(常规)磨削–该工……
IGBT芯片互连常用键合线材料特性
  • 更新日期: 2023-02-25
  • 浏览次数: 3337
IGBT芯片与芯片的电极端子间,IGBT芯片电极端子与二极管芯片间,芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。通过键合线使芯片间构成互连,形成回路。引线键合是IGBT功率器件内部实现电气互连的主要方式之一。随着制造工艺的快速发展,许多金属键合线被广泛的应用到IGBT功率模块互连技术中。目前,常用的键合线有铝线、金线、、银线、铜线、铝带、铜片和铝包铜线等。表1是引线键合技术中常用材料的性能。 表1 引线键合工艺中常用键合线的材料属性 1.铝线键合 铝线键合是
SiC IGBT研究进展与前瞻
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 浏览次数: 3307
摘 要 ……
全面解读标准AEC-Q200:被动元器件需要做哪些可靠性测试?
  • 更新日期: 2023-02-24
  • 浏览次数: 2572
描述 被动元器件又称为无源器件,是指不影响信号基本特征,仅令讯号通过而未加以更改的电路元件。最常见的有电阻、电容、电感、陶振、晶振、变压器等。被动元件,区别于主动元件。而国内此前则称无源器件和有源器件。被动元件内无需电源驱动且自身不耗电,仅通过输入信号即可作出放大,震荡和计算的反应,而不需……
电池管理系统BMS主要功能规范
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 浏览次数: 2992
高压上下电管理 高压上电管理:BMS进行自检状态,通过检测后等待VCU上电指令,在接收到VCU上高压电指令后,BMS控制闭合主负、预充继电器进行预充,当检测到MCU输入电压大于母线端电压的95%,预充完成,闭合主正继电器,延迟一段时间后,断开预充继电器,高压上电完成,进入BMS工作模式。KL15为OFF状态,或者……
双面散热汽车 IGBT 模块热测试方法研究
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 浏览次数: 2024
摘要 与传统单面散热 IGBT 模块不同,双面散热汽车 IGBT 模块同时向正、反两面传导热量,其热测试评估方式需重新考量。本文进行双面散热汽车 IGBT 模块热测试工装开发与热界面材料选型,同时对比研究模块压装方式,开发出一种适用于双面散热汽车 IGBT 模块的双界面散热结构热测试方法,可实现单面热阻测……
MOS工作原理及失效分析
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 浏览次数: 3206
MOS管是金属(metal)氧化物(oxide)半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管
PCB布线要点 整理
  • 更新日期: 2023-02-22
  • 浏览次数: 3077
根据 50 欧姆阻抗线宽进行布线,尽量从焊盘中心出线,线成直线,尽量走在表层。在需要拐弯的地方做成45 度角或圆弧走线,推荐在电容或电阻两边进行拐弯。如果遇到器件走线匹配要求的,请严 格按照datasheet上面的参考值长度走线。比如,一个放大管与电容 之间的走线长度(或电感之间的走线长度)要求等等。 1、通用做……
中科院:半导体基础研究匮乏,我们进入
  • 更新日期: 2023-02-22
  • 浏览次数: 2431
本文刊载于《中国科学院院刊》2023年第2期“科学观察” 李树深* 中国科学院半导体研究所 半导体……

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