其他

开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等，以市场趋势为导向、以客户满意为结果，锐意进取持续发展。SLKOR的MOS管大量应用于锂电池保护板、智能扫地机器人、TWS蓝牙耳机、电子烟、户外照明等行业。碳化硅SiC器件主要应用于能源互联网领域，应用行业有充电桩、新能源汽车、清洁能源发电、大功率开关电源和不间断电源等，在军事和航天领域也有一定的应用。

如何正确选择MOS管？需要注意哪些细节？

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 3616

如何正确选择 MOS管？需要注意哪些细节？ MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于压控半导体器件，具有输入电阻高10^7~10^12Ω）、低噪声、低功耗、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点，现已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。 1)用N沟道或P沟道？ ……

查看详情 >>

可控硅的两种触发方式：移相触发和过零触发触发

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 8478

可控硅的两种触发方式：移相触发和过零触发触发可控硅作为交流元器件的一种，有双向和单相可控硅，由于双向可控硅双向性，因此在正负电源均可以导通，因此经常被用于交流调节负载电路当中，双向可控硅一般的控制方式过零触发以及移相触发两种。 1.过零触发顾名思义，过零触发，在过零点时触发可控硅。因……

查看详情 >>

霍尔元件在电动车转把中的应用

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 2872

霍尔元件在电动车转把中的应用目前，电动车基本上是每个家庭必不可少的交通工具之一，电动车的安全驾驶也非常重要。随着科技的发展，各种电动车及配件都采用了新的安全监控技术，尤其适用于霍尔元器件、电流传感器等传感器。许多传感器技术被用于制造电动汽车，以保护我们的出行安全。霍尔元件是一种磁感应传感器，……

查看详情 >>

霍尔效应和霍尔元件

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 2209

霍尔效应和霍尔元件当电流在磁场中流经半导体时，会在与电流成直角的方向上产生电压(霍尔电压)。这种现象被称为霍尔效应。霍尔元件是一种利用霍尔效应的磁探测元件。霍尔元素由InSb（锑化铟）和GaAs（砷化镓）制成。根据弗莱明右手定则，线圈可以通过磁场的变化产生电动势。利用这一原……

查看详情 >>

两个IGBT模块并联比一个IGBT有什么优势？

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 3764

两个 IGBT模块并联比一个 IGBT有什么优势？并联使用IGBT有以下几个原因：第一：需求降低成本。以两点平为例，直接购买赛米控等厂商的成品模块固然可提高产品稳定性，但相应的成本增加超出了普通公司的承受能力。使用多模块并联可以明显降低成本。一般电流越大，IGBT价格越高，可供选择的供应商越少……

查看详情 >>

IGBT模块有哪些功能？

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 2024

IGBT模块有哪些功能？ IGBT电源模块由IC、各种驱动保护电路、高性能IGBT芯片和新型封装技术驱动，从复合电源模块PIM发展到智能电源模块IPM、电力电子积木PEBB、电源模块IPEM。PIM正向高压大电流方向发展，产品等级为1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车的VVVF变频器。平面低电感封装技术是PEBB以大电流IGBT模块为有源器件，用于舰船上的导弹发射装置。IPEM采用共烧陶瓷多芯片模块技术组装PEBB，大大降低

查看详情 >>

IGBT单管与IGBT模块的区别

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 4563

IGBT单管与 IGBT模块的区别 IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级。它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的应用领域。 IGBT电源模块由IC、各种驱动保护电路、高性能IGBT芯片和新型封装技术驱动，从复合电源模块PIM发展到智能电源模块IPM、电力电子积木PEBB、电源模块IPEM。PIM正向高压大电流方向发展，产品等级为1200—18

查看详情 >>

可控硅的基本工作原理及其在调光器中的应用

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 2075

可控硅的基本工作原理及其在调光器中的应用可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两个晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，而且是无触点开关的快速接通或切断，实现将直流电变成交流电的逆变，把一个频率的交流电变成另一个频率的交流电等等。 ……

查看详情 >>

为什么SiC器件不能取代IGBT？

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 3247

为什么SiC器件不能取代 IGBT？碳化硅(SiC)器件的生产工艺和技术日趋成熟，目前市场推广的最大障碍是成本。包括研发和生产成本，以及应用中碳化硅器件替代 IGBT后，整个电路中驱动电容电阻的成本。除非厂家推，而且真的可以降低成本，提高性能。毕竟，采用新事物会花费很多。由于制造成本和产品良率的影响，目前阻碍S……

查看详情 >>

常用的IGBT缓冲电路有哪些？

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 2447

常用的 IGBT缓冲电路有哪些？由于电力电子器件具有on、on、关断和off四种工作状态，因此off和on状态分别承受高电压和大电流，而在on和关断，过程中，开关器件可能同时承受过压和过流、过大的di/dt、du/dt和过大的瞬时功率。因此，为了防止器件由于高电压和高电流而损坏，在电路中增加了缓冲电路。关断缓冲……

查看详情 >>

如何用万用表检测可控硅

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 2714

如何用万用表检测可控硅可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个电极。单向可控硅整流器具有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅相当于两个单可控硅反向并联。即一个单向硅阳极与另一个阴极并排连接，其引出端称为T2极，一个单向硅阴极与另一个阳极连接，其引出端称为T2极，其余为控制电极(G)。 ……

查看详情 >>

半导体三极管参数符号及其意义

更新日期： 2022-03-17
浏览次数： 3280

半导体三极管参数符号及其意义如果共发射极电流放大系数β=IC/IB =100，集电极电流IC=β*IB=10mA。集电极负载电阻为500Ω时，电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的电压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个交流小电流ib，集电极电路中就会出现相应的的交变电流……

查看详情 >>

上一页 16 17 18 19 20 21 22 下一页