37000Con威斯人(中国)有限公司-Weixin百科
首页
关于我们
公司简介
发展历程
企业文化
荣誉资质
科研成果
产品展示
功率器件
功率器件
MOS场效应管
MOS场效应管
低压MOS管
中压MOS管
高压MOS管
COOLMOS
IGBT
IGBT
IGBT单管
IGBT模块
可控硅
可控硅
单向可控硅
双向可控硅
碳化硅器件
碳化硅器件
碳化硅场效应管
碳化硅肖特基二极管
功率电子开关
功率电子开关
二极管三极管
二极管三极管
二极管
二极管
稳压二极管
瞬态抑制二极管TVS
静电放电ESD
肖特基二极管
快恢复二极管
超快恢复二极管
开关二极管
触发二极管
半导体放电管(TSS)
通用二极管
高效二极管
晶体管
晶体管
三极管(BJT)
数字晶体管
达林顿晶体管
电源管理
电源管理
线性稳压器LDO
线性稳压器LDO
栅极驱动IC
栅极驱动IC
隔离式栅极驱动器
隔离式栅极驱动器
电机驱动芯片
电机驱动芯片
DC-DC电源芯片
DC-DC电源芯片
电池管理
电池管理
AC-DC控制器和稳压器
AC-DC控制器和稳压器
专业电源管理PMIC
专业电源管理PMIC
LED驱动
LED驱动
监控和复位芯片
监控和复位芯片
数据转换器
数据转换器
模数转换器(ADC)
模数转换器(ADC)
V/F和F/V转换芯片
V/F和F/V转换芯片
传感器
传感器
霍尔传感器
霍尔传感器
温度传感器
温度传感器
环境光传感器
环境光传感器
电流传感器
电流传感器
光纤/激光传感器
光纤/激光传感器
光电器件
光电器件
光耦
光耦
光电二极管
光电二极管
放大器及基准芯片
放大器及基准芯片
通用运算放大器
通用运算放大器
精密运放及低噪音运放
精密运放及低噪音运放
比较器
比较器
音频功率放大器
音频功率放大器
电压基准芯片
电压基准芯片
RF放大器
RF放大器
接口芯片
接口芯片
RS232芯片
RS232芯片
RS485芯片
RS485芯片
CAN芯片
CAN芯片
视频接口芯片
视频接口芯片
其他
其他
达林顿晶体管阵列
达林顿晶体管阵列
晶振
晶振
存储器芯片
存储器芯片
时钟芯片
时钟芯片
小规模逻辑芯片
小规模逻辑芯片
逻辑门
逻辑门
定时器芯片
定时器芯片
触摸屏控制器
触摸屏控制器
触发器
触发器
反相器
反相器
资讯中心
每日芯闻
公司动态
行业新闻
电子资讯
代理商展播
电子百科
二八八问
其他
专家专栏
周祖成
朱贻玮
宋仕强
王志华
王金桃
其他专家
技术交流
印宁华
硬禾学堂
应用案例
其他
招兵买马
销售网络
免费样品
中文
English
关于我们
产品展示
资讯中心
专家专栏
技术交流
招兵买马
销售网络
免费样品
技术交流
Technology Exchange
首页
-
技术交流
TI 第二代雷达芯片深度剖析
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2909
车载雷达是高级辅助驾驶(ADAS), 无人驾驶核心传感器之一,而车载雷达芯片是车载雷达的核心,如今高度集成(MMIC + DSP/MCU)的车规级芯片为雷达小型化,高可靠性与稳定性,低成本提供关键途径,其重要性不言而喻。 近期,TI公司正式上线下一代车规级高性能车载雷达芯片,AWR2944,同时发布与之配……
查看详情 >>
功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 4616
摘要:传统功率电子封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主,无法满足第三代半导体器件在高频、高压、高温下的可靠应用。为了解决这一问题,二维平面封装逐渐向三维集成封装发展。对功率电子封装技术中的关键材料和结构设计的研究进展进行了总结和展望。连接材料从锡基钎料逐渐发展为金基钎料、瞬态液相连接材料、烧结银等高导热、……
查看详情 >>
碳化硅与硅相比有何优势?
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 3340
描述 电力电子朝向碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽能隙(WBG)材料发展,虽然硅仍然占据市场主流,但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。 据总部位于法国的市场研究机构Yole Développement估计,到2025年SiC器件市场营收将占……
查看详情 >>
浅谈电动汽车IGBT技术应用与发展
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2588
20世纪中期出现了功率器件,经过近30年的发展,MOS和BJT技术的结合催生出IGBT技术。IGBT经过不断更新,现已广泛应用于车辆、焊接、航天航空等领域。本文介绍了IGBT的结构和工作原理,并对其在电动汽车领域的应用进行阐述,有助于从业者全面深入了解IGBT原理及其在电动汽车领域的技术发展。 随着全球变暖和环境……
查看详情 >>
干货|臭名昭著的MOS管米勒效应
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 3748
如下是一个NMOS的开关电路,阶跃信号VG1设置DC电平2V,方波(振幅2V,频率50Hz),T2的开启电压2V,所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。 首先仿真Vgs和Vds的波形,会看到Vgs=2V的时候有一个 小平台 ,有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台? ……
查看详情 >>
《华林科纳-半导体工艺》碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 3131
引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处,但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度,所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图后的痕量表面污染水平与……
查看详情 >>
差模滤波与共模滤波分析
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 9616
低频来自两部分:差模和共模滤波。差模滤波试图减少电流返回回线的电源线上噪声。这意味着电源线上噪声存在在外壳和回线上。所以滤波的目的是在它离开外壳之前分流到回线,这样保证它返回而测量不到。设置一个电感在功率线上,阻断它出去,同时提供一个电容在电源与回线之间,提供噪声低阻抗通道。通常商业测试时带有 LISN(Line Im……
查看详情 >>
性能远超AMD及苹果?英特尔12代酷睿i9-12900K评测:牙膏挤爆,真的很强!
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2489
今年10月28日,在英特尔ON技术创新峰会上,英特尔揭开了第12代英特尔酷睿处理器产品家族的神秘面纱,推出了六款全新未锁频台式机处理器,其中包括全球性能出众的游戏处理器——第12代英特尔酷睿i9-12900K。凭借最高5.2GHz的睿频频率及多达16核与24线程的规格,全新处理器可为游戏发烧友和专业创作者释放更高的多线……
查看详情 >>
老司机总结:模拟电路设计的11个细节
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2683
模拟电路设计需要扎实的模电基础以及丰富的经验积累,这里,我们分享一位模电老工程师的总结,帮助大家在设计中少踩坑,少走弯路 ,觉得好的点个赞啊! 1. 系统定义 系统定义是模拟电路设计的基本前提。根据设计要求,模拟电路设计工程师需要对电路系统及子系统做出相应的功能定义,并确定面积、功耗等相关性能的参……
查看详情 >>
拆解报告:TEKA铁甲65W氮化镓无线智能充电器
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2774
近两年来,氮化镓在消费类电源领域的发展迅速,无论是高性价比的高频QR反激拓扑还是主打高性能的有源钳位反激,亦或是百瓦大功率专用的LLC,市面上的氮化镓快充新品一直都层出不穷。 当然,技术的成熟也会让产品的性能和卖点都面临着同质化的问题,为了寻求产品的更多差异化,电源厂商也是绞尽脑汁。比如,近日充电头网就拿……
查看详情 >>
开关电源各种拓扑结构的特点
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2511
1、基本名词 常见的基本拓扑结构 ■Buck降压 ■Boost升压 ■Buck-Boost降压-升压 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward双晶体管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半桥 ■Full Bridge全桥 ■SEPIC ■C’uk 基……
查看详情 >>
MOS管和IGBT有什么区别
更新日期: 2022-03-18
浏览次数: 2703
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管,而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管 场效应管主要有两种类型,分别……
查看详情 >>
上一页
90
91
92
93
94
95
96
下一页
新闻推荐
印宁华
硬禾学堂
2025-07-10
37000Con威斯人AZC199-04 ESD二极管:重构机顶盒防护的精密方案
2025-07-10
37000Con威斯人AZ5325-01F ESD二极管:重构低速物联网设备的静电防护方程式
2025-07-10
充电桩红外测温:领麦微以精准测温赋能安全增效
2025-07-10
二次元英雄的战斗:RP2040版“雷霆战机”来袭!
2025-07-10
压力传感器技术:小器件,大作为!
2025-07-10
人工智能会抢走我们的所有工作吗?
2025-07-09
37000Con威斯人SLESD5451X:超低电容ESD防护器件赋能紧凑型电子设备革新
2025-07-09
37000Con威斯人PTVSHC2EN5VU:为低速接口与小型化设备构建静电防护新范式
2025-07-08
37000Con威斯人SLESD0801PB:为“小而精”设备打造静电防护新标杆
2025-07-08
SLESD0701OC为高速数据接口提供高效静电阻挡方案
热门标签
光耦
IGBT
二极管
三极管
可控硅
整流桥
霍尔元件
COOLMOS
MOS场效应管
碳化硅场效应管
碳化硅肖特基二极管
产品推荐
查看更多+
光耦-SL3H7A
光耦-SL3063
光耦-SL3021
光耦-SL851D
光耦-SL816S-C
光耦-SL214N
光耦-SLH11L1S
光耦-SL3H7C
光耦-SL0601
光耦-SLH11L1
官网首页
一键拨号
产品中心
在线咨询