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更新日期： 2022-03-18
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车载雷达是高级辅助驾驶(ADAS), 无人驾驶核心传感器之一，而车载雷达芯片是车载雷达的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的车规级芯片为雷达小型化，高可靠性与稳定性，低成本提供关键途径，其重要性不言而喻。近期，TI公司正式上线下一代车规级高性能车载雷达芯片，AWR2944，同时发布与之配……

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功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展

更新日期： 2022-03-18
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摘要：传统功率电子封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主，无法满足第三代半导体器件在高频、高压、高温下的可靠应用。为了解决这一问题，二维平面封装逐渐向三维集成封装发展。对功率电子封装技术中的关键材料和结构设计的研究进展进行了总结和展望。连接材料从锡基钎料逐渐发展为金基钎料、瞬态液相连接材料、烧结银等高导热、……

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碳化硅与硅相比有何优势？

更新日期： 2022-03-18
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描述电力电子朝向碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料发展，虽然硅仍然占据市场主流，但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。据总部位于法国的市场研究机构Yole Développement估计，到2025年SiC器件市场营收将占……

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浅谈电动汽车IGBT技术应用与发展

更新日期： 2022-03-18
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20世纪中期出现了功率器件，经过近30年的发展，MOS和BJT技术的结合催生出IGBT技术。IGBT经过不断更新，现已广泛应用于车辆、焊接、航天航空等领域。本文介绍了IGBT的结构和工作原理，并对其在电动汽车领域的应用进行阐述，有助于从业者全面深入了解IGBT原理及其在电动汽车领域的技术发展。随着全球变暖和环境……

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干货|臭名昭著的MOS管米勒效应

更新日期： 2022-03-18
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如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ ……

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《华林科纳-半导体工艺》碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理

更新日期： 2022-03-18
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引言碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图后的痕量表面污染水平与……

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差模滤波与共模滤波分析

更新日期： 2022-03-18
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低频来自两部分：差模和共模滤波。差模滤波试图减少电流返回回线的电源线上噪声。这意味着电源线上噪声存在在外壳和回线上。所以滤波的目的是在它离开外壳之前分流到回线，这样保证它返回而测量不到。设置一个电感在功率线上，阻断它出去，同时提供一个电容在电源与回线之间，提供噪声低阻抗通道。通常商业测试时带有 LISN（Line Im……

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性能远超AMD及苹果？英特尔12代酷睿i9-12900K评测：牙膏挤爆，真的很强！

更新日期： 2022-03-18
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今年10月28日，在英特尔ON技术创新峰会上，英特尔揭开了第12代英特尔酷睿处理器产品家族的神秘面纱，推出了六款全新未锁频台式机处理器，其中包括全球性能出众的游戏处理器——第12代英特尔酷睿i9-12900K。凭借最高5.2GHz的睿频频率及多达16核与24线程的规格，全新处理器可为游戏发烧友和专业创作者释放更高的多线……

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老司机总结：模拟电路设计的11个细节

更新日期： 2022-03-18
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模拟电路设计需要扎实的模电基础以及丰富的经验积累，这里，我们分享一位模电老工程师的总结，帮助大家在设计中少踩坑，少走弯路，觉得好的点个赞啊！ 1. 系统定义系统定义是模拟电路设计的基本前提。根据设计要求，模拟电路设计工程师需要对电路系统及子系统做出相应的功能定义，并确定面积、功耗等相关性能的参……

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拆解报告：TEKA铁甲65W氮化镓无线智能充电器

更新日期： 2022-03-18
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近两年来，氮化镓在消费类电源领域的发展迅速，无论是高性价比的高频QR反激拓扑还是主打高性能的有源钳位反激，亦或是百瓦大功率专用的LLC，市面上的氮化镓快充新品一直都层出不穷。当然，技术的成熟也会让产品的性能和卖点都面临着同质化的问题，为了寻求产品的更多差异化，电源厂商也是绞尽脑汁。比如，近日充电头网就拿……

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开关电源各种拓扑结构的特点

更新日期： 2022-03-18
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1、基本名词常见的基本拓扑结构 ■Buck降压 ■Boost升压 ■Buck-Boost降压-升压 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward双晶体管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半桥 ■Full Bridge全桥 ■SEPIC ■C’uk 基……

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