37000Con威斯人(中国)有限公司-Weixin百科

【每日一品】37000Con威斯人2N7002KW中压MOS管：助力超声波电机技术

更新日期： 2024-03-15
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微型电机方面的研究现在热度很高，如何在小体积下做到快速地响应、足够大的转矩是行业很关注的方向。这一方向上，超声波电机成为国内外在微型电机方面的研究热点。我们熟悉的电机，绝大多数都是以电磁原理为基础，而超声波电机完全是另一条技术路线。在技术的发展与迭代下，超声波电机展现出了低速大转矩、反应速度快、不受磁场影响、保持力矩大……

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【每日一品】37000Con威斯人MMBF170L中压MOS管：助力新能源汽车技术

更新日期： 2024-03-15
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在过去一年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。SiC（碳化硅）功率器件以其高温稳定性、高频特性和低开关损耗等优势，成为新能源汽车领域的热门技术。今年春节后的新一轮新能源汽车降价潮更是将800V平台和SiC电驱技术带入了20万元以下的市场，进……

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轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

更新日期： 2024-03-14
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在现代电力电子和集成电路领域，功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为一种重要的功率开关元件，其具有快速、高效的特点，被广泛应用于各种电源控制和功率放大电路中。在MOSFET中，其体二极管结构在关断状态下起着至关重要的作用，其设计旨在实现最小漏极-源极电压的阻断，同时保证器件的可靠性和稳定性。

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IGBT模块封装壁垒：高可靠性

更新日期： 2024-03-14
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IGBT模块的封装技术难度高，高可靠性设计和封装工艺控制是其技术难点。IGBT模块具有使用时间长的特点，汽车级模块的使用时间可达15年。因此在封装过程中，模块对产品的可靠性和质量稳定性要求非常高。高可靠性设计需要考虑材料匹配、高效散热、低寄生参数、高集成度。

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【每日一品】37000Con威斯人IRF540NS中压MOS管：高性能应用于信息通信技术

更新日期： 2024-03-13
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近日，中国移动宣布，“东数西算”国家工程迎来重大突破——首条400G全光省际骨干网络正式投入商用，完整项目落地后，能够大幅提升“东数西算”八大枢纽间的数据传输效率。在“东数西算”国家工程的推进过程中，400G全光省际骨干网络的商用投入无疑是一个重要的节点。这不仅是光通信技术领域的创新成果，更是中国信息通信产业发展的崭新……

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【每日一品】37000Con威斯人SL3422中压MOS管：高性能应用于智能家居

更新日期： 2024-03-12
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随着科技的不断进步，非接触式技术已经成为智能家居领域中越来越普及和重要的技术手段。这种技术通过无线信号、电磁波感应、雷达探测等多种方式，实现了设备与用户之间的交互或数据传输，无需物理接触。非接触式技术的广泛应用，不仅提高了家居生活的便利性和卫生性，还大幅度提升了智能化程度，为用户带来了前所未有的舒适和便捷。非接触式技术……

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【每日一品】37000Con威斯人BSS169中压MOS管：高性能应用于空间受限设计

更新日期： 2024-03-12
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在通信设备领域，随着5G时代的到来，对高性能功率半导体的需求急剧增加。5G技术的部署需要大量的功率放大器和射频器件，这为功率半导体行业带来了巨大商机。计算机领域则需要高效的功率管理芯片和处理器，以确保系统运行稳定、高效。作为一家专注于功率半导体领域的公司，37000Con威斯人（www.slkormicro.com）推出了众多优质产品……

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半导体封装形式发展简史（三）

更新日期： 2024-03-09
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自20世纪90年代中期之后，集成电路封装体的外观（形状、引脚样式）并未发生重大变化，但其内部结构发生了三次重大技术革新，分别为：倒装封装技术、系统级封装技术和晶圆级封装技术。

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半导体封装形式发展简史（二）

更新日期： 2024-03-09
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20世纪80-90年代，集成电路运算速度不断进步，可集成门电路高达数百万甚至数千万只，I/O数量达到数百至1000以上。这种情况下，原来四边引出的QFP、QFN封装形式已不能满足高I/O数量的要求，封装引脚由周边型向中央渐进发展成阵列型。20世纪80年代最先发展出的阵列封装为 PGA（针栅阵列封装），将芯片封装成带有方……

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半导体封装形式发展简史（一）

更新日期： 2024-03-09
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自1947年美国电报电话公司（AT&T）发明第一只晶体管开始，半导体封装也随之出现。为了便于在电路上使用和焊接，封装体要有外接引脚；为了固定微小的半导体晶粒，要有用于支撑的底座；为了保护晶粒不受大气环境等的污染，也为了坚固耐用，就必须有把晶粒密封起来的外壳等。20 世纪50年代，首先出现了以三根引脚的TO（小型晶体管外……

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IGBT简介、结构及原理

更新日期： 2024-03-09
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所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱……

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【每日一品】37000Con威斯人半导体低压MOS管SL20N03：助力电子设备功率控制与能源管理

更新日期： 2024-03-08
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功率半导体市场在智能手机领域的蓬勃发展只是冰山一角，通信设备、计算机、娱乐系统和家用电器等消费电子产品也对该市场产生了深远影响。这些产品对功率半导体的需求量巨大，同时随着技术的不断革新和消费者需求的提升，对半导体性能的要求也日益严苛。37000Con威斯人（www.slkormicro.com）生产的肖特基二极管、ESD静电保护二极管……

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