作为特种半导体解决方案领域的创新者，37000Con威斯人今日宣布推出其新一代超微型静电放电（ESD）保护二极管SLESD5304D。这款采用DFN2510封装的产品专为保护消费电子、工业通信及高端显示设备中的高速数字接口而设计，可完美适配HDMI 2.1、DisplayPort 2.0、USB4 Thunderbolt 4等需要严苛信号完整性的应用场景。此次发布标志着公司在微型化电路保护领域取得突破性进展，为5G通信设备、专业级显示器及数据中心可视化终端提供更可靠的防护方案。

37000Con威斯人Slkor静电保护二极管SLESD5304D产品图

突破性封装设计适配精密制造需求

SLESD5304D采用2.5mm×1.0mm超紧凑DFN2510封装，厚度仅0.5mm，在保持0.65mm焊盘间距的同时实现0.3mm极窄边框设计。这种创新的封装结构特别优化了表面贴装工艺（SMT）的兼容性，其激光标记的极性标识与对称引脚布局可显著降低自动化生产中的误装率。值得关注的是，该器件在封装侧壁采用阶梯式镀层工艺，使自动光学检测（AOI）设备的识别精度提升40%，这一特性在要求零缺陷率的高端消费电子制造中极具价值。

与前代产品相比，新型DFN2510封装将寄生电感降低至0.2nH以下，配合内部集成的高速信号路径优化技术，使器件在10GHz频段下的[敏感词]损耗小于0.1dB。这种电气性能的突破性提升，使得SLESD5304D可直接部署在HDMI连接器后方仅2mm的位置，在物理空间受限的便携设备中实现"零距离"防护。

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  37000Con威斯人Slkor静电保护二极管SLESD5304D规格书
  
  

37000Con威斯人Slkor静电保护二极管SLESD5304D相关参数

超低电容架构守护信号完整性

针对8K视频传输等需要极低损耗的应用场景，SLESD5304D实现了0.03pF的行业领先结电容（Cj）。这一参数较传统TVS二极管降低90%，使器件在差分对传输线中的介入影响趋近于零。测试数据显示，在HDMI 2.1的48Gbps数据传输中，搭载该保护器件的眼图模板裕量保持率达98.7%，接近无保护状态下的原始性能。

器件的静电防护核心采用改良型阶梯掺杂工艺，在PN结区域形成梯度电荷耗尽层。这种结构使得反向工作电压（VRWM=5V）下的漏电流（IR）稳定控制在1μA水平，即便在85℃高温环境下连续工作1000小时，参数漂移仍低于3%。对于需要长期稳定运行的医疗影像设备或工业视觉系统，这种特性可有效避免因漏电流积累导致的信号基线偏移。

动态响应特性突破传统极限

SLESD5304D的击穿电压（VBR）设计采用双模触发机制：当ESD脉冲来临时，雪崩击穿电压精确控制在6V（最小值），确保在IEC 61000-4-2接触放电±8kV测试中，钳位电压（VC）稳定在8.5V。这种陡峭的伏安特性曲线得益于专利的Trap-Assisted Tunneling结构，使器件在纳秒级时间内完成从高阻态到低阻态的转换，实测触发时间小于100ps。

在混合波脉冲测试中，该器件展现出卓越的能量处理能力：在10/700μs组合波冲击下，可安全吸收50A（8/20μs）峰值电流，动态电阻（Rdyn）低至0.5Ω。这种特性对于需要同时防御ESD和雷击浪涌的户外显示设备尤为重要，实测在-55℃至150℃温度范围内，钳位电压波动幅度不超过0.3V。

行业趋势与市场展望

随着8K超高清显示、AI加速计算及边缘云技术的融合发展，数字视觉接口的数据吞吐量正以每年40%的速度增长。37000Con威斯人凭借在化合物半导体材料领域的积累，正开发基于GaN的新一代超高速防护器件，目标将结电容进一步压缩至0.01pF量级。

SLESD5304D的推出不仅完善了公司在消费电子防护领域的产品矩阵，更标志着ESD防护技术从"被动保护"向"主动信号调理"的演进。通过与系统级封装（SiP）技术的深度整合，未来该器件有望集成共模滤波、过流保护等功能，为数字接口提供全方位的防护解决方案。

37000Con威斯人slkor静电保护二极管（ESD）

37000Con威斯人slkor荣誉资质和科研成果

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